內(nèi)存超頻有什么用方法教程
CPU超頻可能很多人都聽(tīng)說(shuō)過(guò),但是內(nèi)存超頻應(yīng)該沒(méi)什么用戶嘗試過(guò)吧,那么內(nèi)存超頻有什么用呢?超頻會(huì)危害電腦嗎?具體怎么操作下面一起看看!
內(nèi)存超頻有什么用
內(nèi)存超頻實(shí)際的意義并不會(huì)很大,提升效果不會(huì)太高,主要還是看平臺(tái)的整體性能,而且內(nèi)存超頻對(duì)內(nèi)存是有損害的。關(guān)于內(nèi)存超頻分兩種,一種是在主板BIOS支持的情況調(diào)節(jié)內(nèi)存的主頻和電壓來(lái)達(dá)到超頻的效果,另外一種就是主板和內(nèi)存本身不能支持高頻率,需要通過(guò)修改內(nèi)存的SPD信息,強(qiáng)行另低頻工作在高頻來(lái)實(shí)現(xiàn)。不建議此方法,此方法僅適用于研究之用,實(shí)際應(yīng)用可能非常不穩(wěn)定。
方法步驟
第一步:推薦參數(shù)設(shè)置
在電腦剛開(kāi)機(jī)時(shí)按DEL鍵進(jìn)入BIOS,可以看到CMOS的主菜單,超頻選項(xiàng)都在“Power User Overclock Settings”選項(xiàng)中(左邊第二項(xiàng))
按enter鍵進(jìn)入“Power User Overclock Settings”選項(xiàng),進(jìn)行參數(shù)設(shè)置。
這里可以看到這塊主板關(guān)于超頻的所有選項(xiàng),看起來(lái)很復(fù)雜,其實(shí)不難,我們平常超頻只要調(diào)以下幾個(gè)參數(shù)就可以。
1、 CPU Clock Ratio (CPU倍頻調(diào)節(jié)選項(xiàng))
2、 Host/PCI Clock at Next Boot (CPU 外頻調(diào)節(jié)選項(xiàng))
3、 DRAM Clock at Next Boot (內(nèi)存分頻選項(xiàng))
注:內(nèi)存分頻很重要,關(guān)系到超頻后的內(nèi)存頻率,其中1代表CPU的外頻,X(比號(hào)后面的數(shù)字)代表內(nèi)存頻率與外頻的比值。
比如CPU在300外頻下,內(nèi)存分頻為1:1.25時(shí)的內(nèi)存頻率為:300×1.25×2=750(MHz)
4、 DRAM Timming Settings(內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)選項(xiàng))
5、 CPU Vcore Select (CPU電壓調(diào)節(jié)選項(xiàng))
CPU Vcore 7-Shift(CPU 步進(jìn)增壓選項(xiàng))——初學(xué)者建議用這一種,安全一些
6、 VDIMM Select (內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)選項(xiàng))
了解了上面的超頻參數(shù)以后,如果是超頻新手,我推薦做如下設(shè)置
1、 DRAM Clock at Next Boot為1:1.25;
2、 CPU Vcore 7-Shift 為+100mV;
3、 VDIMM Select 為 2.15V
接著選擇“DRAM Timming Settings”選項(xiàng)進(jìn)入內(nèi)存參數(shù)菜單,這里是調(diào)節(jié)內(nèi)存時(shí)序的地方,不同內(nèi)存條的時(shí)序都不一樣,大家量力而行就是,別調(diào)得太猛呵!
第二步:超頻設(shè)置
前面的這些參數(shù)設(shè)置都只是超頻的前戲而已,現(xiàn)在開(kāi)始才是真正的超頻,即不斷的增加CPU的外頻“Host/PCI Clock at Next Boot”,每次加10,一點(diǎn)一點(diǎn)往上加。
每次增加外頻后就按“F10”保存重啟一次,直到成功進(jìn)入系統(tǒng)后手動(dòng)重啟,繼續(xù)增加外頻,重復(fù)以上動(dòng)作,直到把CPU超到理想的頻率。
我的E2180很雷,外頻最大只能上到250,這個(gè)400外頻我是上不了的,很羨慕價(jià)錢便宜又能輕松上400外頻的E2140。
第三步:穩(wěn)定性檢驗(yàn)
當(dāng)超頻過(guò)頭不能進(jìn)入系統(tǒng)時(shí),以5為步進(jìn)遞減外頻,成功進(jìn)入系統(tǒng)后,使用ORHTOS軟件進(jìn)行烤機(jī),測(cè)一下CPU和內(nèi)存超頻后穩(wěn)不穩(wěn)定,如果穩(wěn)定了,說(shuō)明超頻非常成功。
補(bǔ)充:內(nèi)存常見(jiàn)維護(hù)保養(yǎng)技巧
1.對(duì)于由灰塵引起的內(nèi)存金手指、顯卡氧化層故障,大家應(yīng)用橡皮或棉花沾上酒精清洗,這樣就不會(huì)黑屏了。
2.關(guān)于內(nèi)存混插問(wèn)題,在升級(jí)內(nèi)存時(shí),盡量選擇和你現(xiàn)有那條相同的內(nèi)存,不要以為買新的主流內(nèi)存會(huì)使你的電腦性能很多,相反可能出現(xiàn)很多問(wèn)題。內(nèi)存混插原則:將低規(guī)范、低標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存插入第一內(nèi)存插槽(即DIMM1)中。
3.當(dāng)只需要安裝一根內(nèi)存時(shí),應(yīng)首選和CPU插座接近的內(nèi)存插座,這樣做的好處是:當(dāng)內(nèi)存被CPU風(fēng)扇帶出的灰塵污染后可以清潔,而插座被污染后卻極不易清潔。
4.安裝內(nèi)存條,DIMM槽的兩旁都有一個(gè)卡齒,當(dāng)內(nèi)存缺口對(duì)位正確,且插接到位了之后,這兩個(gè)卡齒應(yīng)該自動(dòng)將內(nèi)存“咬”住。 DDR內(nèi)存金手指上只有一個(gè)缺口,缺口兩邊不對(duì)稱,對(duì)應(yīng)DIMM內(nèi)存插槽上的一個(gè)凸棱,所以方向容易確定。而對(duì)于以前的SDR而言,則有兩個(gè)缺口,也容易確定方向,不過(guò)SDR已經(jīng)漸漸淡出市場(chǎng),了解一下也無(wú)妨;而拔起內(nèi)存的時(shí)候,也就只需向外搬動(dòng)兩個(gè)卡齒,內(nèi)存即會(huì)自動(dòng)從DIMM(或RIMM)槽中脫出。
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查看內(nèi)存標(biāo)簽:正品金士頓內(nèi)存標(biāo)簽印刷清晰規(guī)則,而假貨則明顯粗糙淺淡,字體顯得比較單薄。另外,真假金士頓內(nèi)存標(biāo)簽的排版規(guī)則也有很大出入,請(qǐng)仔細(xì)觀察。
查看內(nèi)存顆粒:通過(guò)圖片中金士頓內(nèi)存顆??梢郧逦闯?,正品金士頓內(nèi)存顆粒印刷清晰,而假內(nèi)存的顆粒則非常暗淡,與正品形成鮮明對(duì)比。對(duì)于一款內(nèi)存,PCB電路板僅占內(nèi)存成本的百分之十左右,而內(nèi)存顆粒才是決定內(nèi)存價(jià)格的重點(diǎn)。因此,通常假貨的PCB基本也是正規(guī)代工廠制造,而顆粒則采用行話里的“白片”,就是我們所說(shuō)的次品,價(jià)格低廉,但穩(wěn)定性和兼容性很差。
查看注冊(cè)商標(biāo)標(biāo)識(shí):正品金士頓的注冊(cè)商標(biāo)“R”的周圍清楚的印有由"KINGSTON"英文字母組成的圓圈,而假貨則明顯胡亂仿制的一個(gè)圓框而已。還有一點(diǎn),仔細(xì)觀察標(biāo)簽內(nèi)部的水印,假內(nèi)存水印和KINGSTON字體銜接處都有明顯的痕跡,證明是后印刷的,這在正品金士頓內(nèi)存中是不會(huì)出現(xiàn)的。
金手指辨認(rèn):下為正品金士頓內(nèi)存的金手指。正品金士頓內(nèi)存的金手指色澤純正、紫色方框內(nèi)的金手指連接部位經(jīng)過(guò)鍍金;假冒金士頓內(nèi)存的金手指色澤略顯暗淡,紅色方框內(nèi)的金手指連接處為PCB板的銅片,并未鍍金。
PCB板上的字體辨認(rèn):左為正品金士頓內(nèi)存。正品金士頓內(nèi)存的字體均勻,無(wú)明顯大小區(qū)別,并且有相關(guān)的認(rèn)證符號(hào)。假冒金士頓內(nèi)存的字體不一,無(wú)相關(guān)認(rèn)證符號(hào)。
K字標(biāo)簽:這是使用單反相機(jī)進(jìn)行微距拍攝,同時(shí)打開(kāi)閃光燈拍攝真假標(biāo)簽,正品標(biāo)簽的鐳射圖案能看出密集的銀粉顆粒,K字并不明顯,背景呈藍(lán)色。而假冒標(biāo)簽的K字十分明顯,銀粉顆粒的密度較低。
翻轉(zhuǎn)角度查看防偽:正品金士頓內(nèi)存的鐳射防偽標(biāo)簽,通過(guò)變換角度能呈現(xiàn)出兩種圖案,第一種圖案為上半沿帶銀粉效果,下半沿呈半個(gè)K漬;第二種圖案為下半沿帶銀粉效果,上半沿呈半個(gè)K字。而假冒標(biāo)簽就只有一種圖案,就是整個(gè)呈現(xiàn)出來(lái)一個(gè)很明顯的K字。
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