升級bios失敗后的解決方法步驟(3)
升級bios失敗后的解決方法步驟
一.SoftMenu Setup(軟超頻設(shè)置)
其實這個Soft Menu Setup，是升技主板獨有的技術(shù)，這里提供了豐富的CPU外頻、倍頻調(diào)節(jié)(需要CPU支持)、AGP/PCI總線頻率以及CPU/內(nèi)存/AGP的電壓調(diào) 節(jié)頻率等等。這個項目相當(dāng)于一些主板中的“Frequency/Voltage Control”
前面是CPU的一些基本信息顯示，下面的選項就是CPU超頻的主要選項了!
1、CPU Operating Speed(CPU外頻設(shè)置)：
這個項目根據(jù)你所使用的處理器型式以及速度來顯示該處理器的運作速度，您可以選擇[User Define](使用者設(shè)定)的選項來手動輸入其運作速度。 如圖：
好了，到了這里我就先放下Bios的設(shè)置引導(dǎo)了，在教大家超頻之前先向大家解釋一下什么叫超頻以及超頻的原理吧，這樣才能讓你能更好的進(jìn)入下一步Bios設(shè)置超頻!
CPU 超頻，它的主要目的是為了提高CPU的工作頻率，也就是CPU的主頻。而CPU的主頻又是外頻(FSB)和倍頻(Multiplier Factor)的乘積。例如一塊CPU的外頻為200MHz,倍頻為10,可以計算得到它的主頻=外頻×倍頻=200MHz×10 = 2000MHz，即2.0GHz。
提升CPU的主頻可以通過改變CPU的倍頻或者外頻來實現(xiàn)。但如果使用的是Intel CPU，你盡可以忽略倍頻，因為IntelCPU使用了特殊的制造工藝來阻止修改倍頻。但是有一部分Intel的工程樣品是沒有鎖定倍頻額，AMD的 CPU可以修改倍頻。雖然提升CPU的外頻或者倍頻都可以使CPU達(dá)到同樣的頻率，比如一顆2.0GHz的CPU，它用200*10=2.0，我們可以把 倍頻提升到20，而把FSB降到100MHz，或者可以把FSB提升到250，而把倍頻降低到8。這兩個方法都可以使主頻達(dá)到2.0G，但是他們所得到的性能是不一樣的。因為外頻(FSB)是系統(tǒng)用來與處理器通信的通道，應(yīng)該讓它盡可能的提高。所以如果把FSB降到100MHz而把倍頻提高到20的話，依然會有2.0GHz的時鐘頻率，但是系統(tǒng)的其余部分與處理器通信將會比以前慢得多，導(dǎo)致系統(tǒng)性能的損失，因此，如果用戶的CPU可以降低倍頻，不妨試一試!
外頻的速度通常與前端總線、內(nèi)存的速度緊密關(guān)聯(lián)。因此當(dāng)你提升了CPU外頻之后，CPU、系統(tǒng)和內(nèi)存的性能也同時提升，這就是為什么DIYer喜歡超頻的原因了。
好了，言歸正傳，繼續(xù)Bios設(shè)置，在你選擇“CPU Operating Speed”中的“Use Defined”選項后，你會看到以前不可以選的CPU選項現(xiàn)在已經(jīng)可以進(jìn)行設(shè)置了!
這就是外頻調(diào)節(jié)設(shè)置選項，手動輸入想設(shè)置成的CPU外頻數(shù)值，在此允許輸入數(shù)值范圍在100-412之間，可以以每1MHz的頻率提高進(jìn)行線性超頻，最大限 度的挖掘CPU的潛能。一般上CPU的外頻在100至250左右較為正常，一般不會超過300MHz，所以用戶千萬不要一次性把外頻調(diào)到最高，原則上來 講，第一次超頻CPU因為不清楚CPU究竟可以在多高的外頻下工作，因此設(shè)置外頻的數(shù)值可以以三至五兆赫茲為臺階提高來慢慢試驗，在此為了示范，直接將外 頻設(shè)置成了133MHz這個標(biāo)準(zhǔn)外頻，設(shè)置了正確的外頻數(shù)字以后再按回車鍵確定。
如果CPU的倍頻沒有被鎖定的話，拉么在Ext.Clock(CPU/AGP/PCI)菜單下會顯示有一個Multiplier Factor(倍頻設(shè)置)選項這個項目選擇CPU的倍頻數(shù)。
2、Estimated New CPU clock：
這個項目顯示前兩項 [Ext. Clock] 與 [Multiplier Factor] 的頻率總和。
3、N/B Strap CPU As：
這個部份可以設(shè)定指定給MCH (內(nèi)存控制器)的前端總線。選項有：[PSB400]、[PSB533]、[PSB800]、以及 [By CPU]。默認(rèn)值是 [By CPU].
若要手動設(shè)定這個部份：
若CPU的頻率為100MHz FSB，則可選擇 [PSB400]。
若CPU的頻率為133MHz FSB，則可選擇 [PSB533]。
若CPU的頻率為200MHz FSB，則可選擇 [PSB800]。
4、DRAM Ratio (CPU:DRAM):
這個部份可以決定CPU和DRAM之間的頻率比。
說到這里，又得跟大家解釋一下CPU與內(nèi)存的關(guān)系了，內(nèi)存的工作頻率是由外頻(FSB)決定的，因此我們在對CPU超頻的同時就給內(nèi)存也增加了運行頻率，設(shè)置外頻與內(nèi)存總線頻率的比值。如果你使用的是DDR333內(nèi)存，它的標(biāo)準(zhǔn)運行頻率可以達(dá)到166MHz，由于剛才我們已經(jīng)把外頻設(shè)置成了133MHz，因此在此可以選擇“4:5”，讓內(nèi)存也運行在最高的頻率。
5、Fixed AGP/PCI Frequency：
此項目可用來決定AGP/PCI總線的頻率，此選項允許你維持您的AGP/PCI頻率在一些固定的頻率上，以增進(jìn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
6、CPU Power Supply：
此選項允許用戶在處理器預(yù)設(shè)電壓數(shù)值和使用者定義電壓數(shù)值之間做切換，請不要隨意去變動此預(yù)設(shè)電壓數(shù)值，除非你有一定的調(diào)節(jié)經(jīng)驗，選擇「User Define」選項后“CPU Core Voltage ”就可以選擇CPU核心所使用的電壓可讓您以手動的方式來選擇處理器的核心電壓數(shù)值。
這里介紹一下CPU核心電壓，P4 CPU的額定核心工作電壓為1.5V，通常不超過1.65V的電壓都是安全的，當(dāng)然超頻提高電壓是要在保證穩(wěn)定工作的前提下，盡可能的少加電壓，這是從散熱方面考慮為了將CPU的溫度盡可能的控制在低水平下。電壓也可以一點一點兒的逐漸嘗試提高，不必急于一步到位，在此我們先選擇1.55V嘗試一下。請注意超過1.70V的電壓對于北木核心的P4來說都是危險的，有可能會燒壞CPU，因此電壓不宜加的過高!
7、DDR SDRAM Voltage:
這個部份可以選擇DRAM插槽工作電壓。
就是來提高給DDR內(nèi)存供電的電壓，DIMM模組的默認(rèn)電壓為2.5V，如果內(nèi)存品質(zhì)不好，或是超頻了內(nèi)存，那么可以適當(dāng)提高一點內(nèi)存電壓，加壓幅度盡量不要超過0.5V，不然則有可能會損壞內(nèi)存!
最后，在這里面還可以看到給AGP顯示卡提高工作電壓的選項，如果你超頻是為標(biāo)準(zhǔn)外頻，也讓顯示卡超頻工作了的話，那么可以考慮適當(dāng)提高一些AGP的電壓，AGP默認(rèn)電壓為1.5V。
好了，說了這么多的超頻的Bios設(shè)置后，繼續(xù)說明其他選項的Bios設(shè)置，當(dāng)然，一下內(nèi)容中同樣也有關(guān)于優(yōu)化超頻的說明!
二.Standard CMOS Features(標(biāo)準(zhǔn)CMOS參數(shù)設(shè)定)
這里就不用多講了!想必大家都能看懂!下面是“IDE設(shè)備設(shè)置”里面的選項解釋，一般不用用戶設(shè)置，保持默認(rèn)的就可以了!
三.Advanced BIOS Features(BIOS進(jìn)階功能設(shè)定)
1.Quick Power On Self Test(快速啟動選擇):
當(dāng)設(shè)定為[Enabled](啟動)時，這個項目在系統(tǒng)電源開啟之后，可加速POST(Power On Self Test)的程序。BIOS會在POST過程當(dāng)中縮短或是跳過一些檢查項目，從而加速啟動等待的時間!
2.Hard Disk Boot Priority(硬盤引導(dǎo)順序):
此項目可選擇硬盤開機(jī)的優(yōu)先級，按下的按鍵，你可以進(jìn)入它的子選單，它會顯示出已偵測到可以讓您選擇開機(jī)順序的硬盤，以用來啟動系統(tǒng)。當(dāng)然，這個選項要在你安裝了兩塊或者兩塊以上的系統(tǒng)才能選擇!
3. HDD Change Message:
當(dāng)設(shè)定為[Enabled](啟動)時，如果你的系統(tǒng)中所安裝的硬盤有更動，在POST的開機(jī)過程中，屏幕會出現(xiàn)一道提示訊息。
4. First Boot Device / Second Boot Device / Third Boot Device / Boot Other Device:
在[First Boot Device]、[Second Boot Device]以及[Third Boot Device]的項目當(dāng)中選擇要做為第一、第二以及第三順序開機(jī)的裝置。BIOS將會依據(jù)你所選擇的開機(jī)裝置，依照順序來啟動操作系統(tǒng)!其中可以選擇的設(shè) 備根據(jù)你安裝的設(shè)備而定!
四.Advanced Chipset Features(芯片組設(shè)定)
芯片組設(shè)定也是Bios設(shè)置里面的一個重點設(shè)置，這里就詳細(xì)說明一下!
1.DRAM Timing Selectable(內(nèi)存參數(shù)設(shè)置選項)：
這 個項目會視內(nèi)存模塊的不同，為接下來四個項目設(shè)定最佳的計時方式。默認(rèn)值為「By SPD」。這個默認(rèn)值會讀取SPD (Serial Presence Detect) 裝置的內(nèi)容，并且依據(jù)SPD內(nèi)容設(shè)定這四個項目。內(nèi)存模塊上的EEPROM (只讀存儲器) 儲存有關(guān)模塊的重要參數(shù)信息，例如內(nèi)存類型、大小、速度、電壓接口及模塊儲存區(qū)域。
2.CAS Latency Time：
這 個項目可控制DRAM讀取指令與數(shù)據(jù)成為真正可用的時間之間的延遲時間。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運 行操作系統(tǒng)，我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低,從而提高內(nèi)存的運行速度。反過來，如果內(nèi)存運行不穩(wěn)定，可以將此參數(shù)設(shè)大，以提高內(nèi)存穩(wěn)定性。
3. Act to Precharge Delay：
這個項目控制了給DRAM參數(shù)使用之DRAM頻率的數(shù)值。同理，數(shù)值小性能高，但是對內(nèi)存的質(zhì)量也要求嚴(yán)格!
4.DRAM RAS# to CAS# Delay：
這個項目可控制DRAM作用指令與讀取/寫入指令之間的延遲時間，有2，3，4幾種選擇。數(shù)值越小，性能越好。
5. DRAM RAS# Precharge：
這個項目是用來控制當(dāng)預(yù)充電(precharge)指令送到DRAM之后，頻率等待啟動的等待時間。預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。
以上的內(nèi)存參數(shù)設(shè)置一般可以不動!讓默認(rèn)的就可以了，但是超頻玩者是肯定不會放過任何可以提高性能的東西的，所以如果你想在這里讓你的電腦提升一點性能的話，就必須慢慢試驗，選擇一個適當(dāng)?shù)膮?shù)才能讓你的計算機(jī)達(dá)到性能和穩(wěn)定的最佳狀態(tài)!
6.Video BIOS Cacheable(影像快取):
如同系統(tǒng)BIOS的快取功能，啟用影像BIOS的快取功能將允許存取影像BIOS自C0000H到C7FFFH具有快取功能，如果快取控制器也被啟用。高速緩存的大小愈大，影像效能將會更快速。
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