雙通道內(nèi)存技術(shù)存在著什么問題

　　當(dāng)下雙通道內(nèi)存技術(shù)還存在著什么樣的問題呢?下面將由學(xué)習(xí)啦小編帶大家來解答這個(gè)疑問吧，希望對(duì)大家有所收獲!

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)原理

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)就是雙通道內(nèi)存控制技術(shù)，它能有效地提高內(nèi)存總帶寬，從而適應(yīng)新的微處理器的數(shù)據(jù)傳輸、處理的需要。雙通道DDR有兩個(gè)64bit內(nèi)存控制器，雙64bit內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個(gè)128bit內(nèi)存體系所提供的帶寬。

　　雙通道體系包含了兩個(gè)獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，兩個(gè)內(nèi)存控制器都能夠并行運(yùn)作。例如，當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時(shí)候，控制器A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓有效等待時(shí)間縮減50%，因此雙通道技術(shù)使內(nèi)存的帶寬翻了一翻。它的技術(shù)核心在于：芯片組(北橋)可以在兩個(gè)不同的數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，RAM可以達(dá)到128bit的帶寬。

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)最初是從RAMBUS推出的RDRAM內(nèi)存條開始的。RAMBUS的內(nèi)存速度非常快，但是總線寬度卻比SDRAM內(nèi)存還要小，因此它不得不結(jié)合Intel的雙通道內(nèi)存控制技術(shù)提高帶寬，達(dá)到高速數(shù)據(jù)傳輸速率的目的。不過RAMBUS由于生產(chǎn)成本過高的原因，逐步被市場淘汰，但是雙通道內(nèi)存控制技術(shù)得到了發(fā)揚(yáng)光大。如今Pentium 4采用的NetBurst架構(gòu)對(duì)內(nèi)存帶寬要求非常高，如果內(nèi)存無法提供相應(yīng)的數(shù)據(jù)傳輸率，這么快的處理器總線速度也是無用的。

　　因此只有通過雙通道內(nèi)存控制技術(shù)才能夠解決這個(gè)問題。最近金邦推出了DDR500內(nèi)存條，單條的數(shù)據(jù)帶寬達(dá)到4GB，如果使用雙通道技術(shù)，帶寬將達(dá)到8GB。

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)的應(yīng)用

　　雙通道內(nèi)存主要是依靠主板北橋的控制技術(shù)，與內(nèi)存本身無關(guān)。目前支持雙通道內(nèi)存技術(shù)的主板有Intel的i865和i875系列，SIS的SIS655、658系列，nVIDIAD的nFORCE2系列等。Intel最先推出的支持雙通道內(nèi)存技術(shù)的芯片組為E7205和E7500系列。

　　雙通道內(nèi)存的安裝有一定的要求。主板的內(nèi)存插槽的顏色和布局一般都有區(qū)分。如果是Intel的i865和i875系列，主板一般有4個(gè)DIMM插槽，每兩根一組，每組顏色一般不一樣，每一個(gè)組代表一個(gè)內(nèi)存通道，只有當(dāng)兩組通道上都同時(shí)安裝了內(nèi)存條時(shí)，才能使內(nèi)存工作在雙通道模式下。另外要注意對(duì)稱安裝，即第一個(gè)通道第1個(gè)插槽搭配第二個(gè)通道第1個(gè)插槽，依此類推。用戶只要按不同的顏色搭配，對(duì)號(hào)入座地安裝即可。如果在相同顏色的插槽上安裝內(nèi)存條，則只能工作在單通道模式。而nFORCE2系列主板同樣有兩個(gè)64bit的內(nèi)存控制器，其中A控制器只支持一根內(nèi)存插槽，B通道則支持兩根。A、B插槽之間有一段距離，以方便用戶識(shí)別。A通道的內(nèi)存插槽在顏色上也可能與B通道兩個(gè)內(nèi)存插槽不同，用戶只要將一根內(nèi)存插入獨(dú)立的內(nèi)存插槽而將另外一根

　　插到另外兩個(gè)彼此靠近的內(nèi)存插槽就能組建成雙通道模式。此外，如果全部插滿內(nèi)存，也能建立雙通道模式，而且nForce2主板在組建雙通道模式時(shí)對(duì)內(nèi)存容量乃至型號(hào)都沒有嚴(yán)格的要求，使用方便。

　　如果安裝方法正確，在主板開機(jī)自檢時(shí)，屏幕顯示內(nèi)存的工作模式(如DDR333 Dual Channel

　　Mode Enabled、激活雙通道模式等)，則內(nèi)存已經(jīng)工作在雙通道模式。

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)存在的問題

　　雙通道內(nèi)存控制技術(shù)的出現(xiàn)對(duì)使用P4的用戶性能有了一定的提升，也是未來發(fā)展的趨勢。組裝雙通道內(nèi)存系統(tǒng)時(shí)要注意內(nèi)存條的搭配，Intel的要求比其他主板要高，最好使用相同品牌、相同型號(hào)的內(nèi)存條，以確保穩(wěn)定性。

　　任何一項(xiàng)技術(shù)都有其優(yōu)點(diǎn)也有其缺點(diǎn)，雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)也不例外。首先，雙通道內(nèi)存都需要成對(duì)地使用，這樣就大大降低了內(nèi)存配置的靈活性。更重要的一點(diǎn)是在采購內(nèi)存的時(shí)候至少要選擇2×64MB、2×128MB……，這會(huì)使用戶在內(nèi)存方面的預(yù)算成倍地增加。其次，雙通道內(nèi)存技術(shù)的理論值雖然非常誘人，但是由于各種因素，其實(shí)際應(yīng)用的性能并不能比單通道DDR內(nèi)存高1倍，當(dāng)然也無法比PC133 SDRAM高出4倍，因?yàn)楫吘乖诂F(xiàn)有的系統(tǒng)條件下，系統(tǒng)性能瓶頸不僅僅是內(nèi)存。從一些測試結(jié)果可以看到，采用128bit內(nèi)存通道的系統(tǒng)性能比采用64bit內(nèi)存通道的系統(tǒng)性能高出3%～5%，最高的可以獲得15%～18%的性能提升。